| 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 |
| 肖海波; 曾湘波; 谢小兵; 姚文杰; 彭文博; 刘石勇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010162332.1
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010162332.1
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22209
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
肖海波,曾湘波,谢小兵,等. 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法. CN201010162332.1.
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