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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Yu GG
;
Ma JD
;
Zhu FG
;
Chai CL
;
Yu GG,Univ Sci & Technol Beijing,Dept Mat Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
于广华
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马纪东
;
朱逢吾
;
柴春林
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提交时间:2010/11/23
多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
侯继达
;
熊聪
;
刘素平
;
马骁宇
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提交时间:2016/09/12