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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Li, Bo
;
Wan, Zhong
;
Wang, Cong
;
Chen, Peng
;
Huang, Bevin
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Cheng, Xing
;
Qian, Qi
;
Li, Jia
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Zhang, Zhengwei
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Sun, Guangzhuang
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Zhao, Bei
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Ma, Huifang
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Wu, Ruixia
;
Wei, Zhongming
;
Liu, Yuan
;
Liao, Lei
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Ye, Yu
;
Huang, Yu
;
Xu, Xiaodong
;
Duan, Xidong
;
Ji, Wei
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提交时间:2022/09/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng-Fei Zhu
;
Xing-Guo Ye
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Jing-Zhi Fang
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Peng-Zhan Xiang
;
Rong-Rong Li
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Dai-Yao Xu
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Zhongming Wei
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Jia-Wei Mei
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Song Liu
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Da-Peng Yu
;
Zhi-Min Liao
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提交时间:2021/11/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye, Huaiyu
;
Li, Bo
;
Tang, Hongyu
;
Zhao, Jia
;
Yuan, Cadmus
;
Zhang, Guoqi
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen C
;
Jia R
;
Yue HH
;
Li HF
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
;
Xu BS
;
Chen, C, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen C
;
Jia R
;
Li HF
;
Meng YL
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
;
Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
;
Jia, R, Chinese Acad Sci, Microwave Devices & Integrated Circuits Dept, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen C (Chen Chen)
;
Jia R (Jia Rui)
;
Li WL (Li Weilong)
;
Li HF (Li Haofeng)
;
Ye TC (Ye Tianchun)
;
Liu XY (Liu Xinyu)
;
Liu M (Liu Ming)
;
Kasai S (Kasai Seiya)
;
Tamotsu H (Tamotsu Hashizume)
;
Wu NJ (Wu Nanjian)
;
Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiarui@ime.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
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提交时间:2009/06/11