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纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付英春
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相变存储器  全限制  自对准  牺牲层  量子点  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
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水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  付英春
Adobe PDF(5214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1234/29  |  提交时间:2012/06/25
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  张志成;  陈诺夫;  林兰英
Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:746/281  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚振钰;  贺洪波;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  张建辉;  廖梅勇;  范正修;  秦复光;  王占国;  林兰英
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半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究 成果
1994
主要完成人:  宋春英;  江德生;  钟学富;  葛帷锟
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半绝缘砷化镓  
砷化镓中杂质缺陷的红外研究 成果
1990
主要完成人:  江德生;  宋春英;  葛惟锟;  钟学富;  许振嘉
收藏  |  浏览/下载:1313/0  |  提交时间:2010/04/13
砷化镓