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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Xu, XN
;
Zhang, YB
;
Wang, XD
;
Yang, FH
;
Cao, HZ
;
Jin, F
;
Dong, XZ
;
Zhao, ZS
;
Duan, XM
;
Liu, Y
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song GF
;
Gan QQ
;
Qu X
;
Fang PY
;
Gao JX
;
Cao Q
;
Xu J
;
Kang XN
;
Xu Y
;
Zhong Y
;
Yang GH
;
Chen LH
;
Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1137/389
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋国峰
;
甘巧强
;
瞿欣
;
方培源
;
高建霞
;
曹青
;
徐军
;
康香宁
;
徐云
;
钟源
;
杨国华
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23
Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Xu Y
;
Zhu XP
;
Ye XJ
;
Kang XN
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
;
Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Finite-difference Methods
Algainp Laser Diodes
Risa
Operation
Layer
Nm
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1337/273
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
XU HD
;
ZHANG SH
;
WU H
;
WANG HZ
;
SHI XQ
;
HUANG XM
;
YANG CB
;
CAO XN
;
XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDUCTORSPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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浏览/下载:879/275
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提交时间:2010/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
徐鸿达
;
王宏杰
;
薛寿清
;
时贤庆
;
黄晓梅
;
杨彩炳
;
曹效能
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
XU HD
;
WANG HZ
;
XUE SQ
;
SHI XQ
;
HUANG XM
;
YANG CB
;
CAO XN
;
XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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提交时间:2010/11/15