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| 光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 戚宇轩 Adobe PDF(8623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:438/6  |  提交时间:2022/07/15 |
| 光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 戚宇轩 Adobe PDF(8623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/13  |  提交时间:2022/07/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei Li; Yu-Xuan Qi; Su-Ping Liu; Xiao-Yu Ma Adobe PDF(2625Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2021/05/24 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1830/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1514/110  |  提交时间:2011/08/30 |