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光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  戚宇轩
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光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  戚宇轩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Li;   Yu-Xuan Qi;  Su-Ping Liu;   Xiao-Yu Ma
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1514/110  |  提交时间:2011/08/30