SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共20条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  H.R. Qi ;   S. Zhang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   M. Zhou ;   Z.W. He ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:59/0  |  提交时间:2020/07/31
无权访问的条目 期刊论文
作者:  H.R. Qi ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   M. Zhou ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:104/1  |  提交时间:2019/11/19
双色量子点及中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  黄建亮
Adobe PDF(10233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1460/107  |  提交时间:2012/06/26
一种组合式聚光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  崔敏;  王彦硕;  白一鸣;  吴金良;  黄添懋
Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1667/255  |  提交时间:2009/06/11
聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1348/187  |  提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/166  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷晓荃;  毛陆虹;  陈弘达;  黄家乐
Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:813/238  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄家乐;  毛陆虹;  陈弘达;  高鹏;  刘金彬;  雷晓荃
Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:878/216  |  提交时间:2010/11/23
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1523/204  |  提交时间:2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1796/254  |  提交时间:2011/08/31