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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Xingfang;  Sun, Guosheng;  Liu, Bin;  Yan, Guoguo;  Guan, Min;  Zhang, Yang;  Zhang, Feng;  Chen, Yu;  Dong, Lin;  Zheng, Liu;  Liu, Shengbei;  Tian, Lixin;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Zeng, Yiping
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘兴昉;  刘斌;  闫果果;  刘胜北;  田丽欣;  申占伟;  王雷;  赵万顺;  张峰;  孙国胜;  曾一平
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