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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Gui-Juan;  Yang, Shao-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Liu, Chang-Bo;  Sang, Ling;  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Xiang-Lin;  Wei, Hong-Yuan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
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ZnO 材料 MOCVD 生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  桑玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Shi, Kai;  Liu, Guipeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Gu, Chengyan;  Zhao, Guijuan;  Sang, Ling;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sang, Ling;  Yang, Shao Yan;  Liu, Gui Peng;  Zhao, Gui Juan;  Liu, Chang Bo;  Gu, Cheng Yan;  Wei, Hong Yuan;  Liu, Xiang Lin;  Zhu, Qin Sheng;  Wang, Zhan Guo
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1184/356  |  提交时间:2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GP (Liu Guipeng);  Wu J (Wu Ju);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Li CM (Li Chengming);  Sang L (Sang Ling);  Song YF (Song Yafeng);  Shi K (Shi Kai);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Yang AL;  Wang J;  Song HP;  Xu XQ;  Sang L;  Wei HY;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/85  |  提交时间:2014/10/29
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:924/33  |  提交时间:2014/10/28