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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, Yan; Luo, Shuai; Ji, Haiming; Qu, Di; Huang, Yidong
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao YL (Cao, Yulian); Ji HM (Ji, Haiming); Xu PF (Xu, Pengfei); Gu YX (Gu, Yongxian); Ma WQ (Ma, Wenquan); Yang T (Yang, Tao)
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| 高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 季海铭
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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人: 杨 涛; 季海铭
Adobe PDF(307Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1418/204 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 季海铭 ; 曹玉莲; 杨涛; 马文全; 曹青; 陈良惠
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| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
Adobe PDF(434Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1041/102 | 提交时间：2014/10/24 |
| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛
Adobe PDF(361Kb) | 收藏 | 浏览/下载：851/79 | 提交时间：2014/10/28 |
| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
Adobe PDF(292Kb) | 收藏 | 浏览/下载：856/112 | 提交时间：2014/12/25 |
| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
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| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛
Adobe PDF(446Kb) | 收藏 | 浏览/下载：647/6 | 提交时间：2016/09/28 |
