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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人: 杨 涛; 季海铭
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| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛
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| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
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| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛
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| 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 罗帅,季海铭,高凤,杨涛
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