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| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 王新维
 Adobe PDF(12173Kb) |  收藏 | 浏览/下载：292/0 | 提交时间：2023/07/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song GF (Song Guo-Feng); Wang WM (Wang Wei-Min); Cai LK (Cai Li-Kang); Guo BS (Guo Bao-Shan); Wang Q (Wang Qing); Xu Y (Xu Yun); Wei X (Wei Xin); Liu YT (Liu Yun-Tao); Song, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sgf@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang HR (Wang Hui-rong); Chen XL (Chen Xin-liang); Li WJ (Li Wei-jun); Lai JL (Lai Jiang-liang)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋国峰; 汪卫敏; 蔡利康; 郭宝山; 王青; 徐云; 韦欣; 刘运涛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈微; 邢名欣; 任刚; 王科; 杜晓宇; 张冶金; 郑婉华
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
Adobe PDF(1062Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1462/181 | 提交时间：2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘晓东; 王玮竹; 高瑞鑫; 赵建华; 文锦辉; 林位株; 赖天树
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