已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕 ; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(529Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1384/250  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕 ; 刘志强 ; 陈宇; 郭德博; 王良臣
Adobe PDF(462Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1586/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 ; 李艳![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(386Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1450/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| P型氮化镓电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(368Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1322/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 ; 郭金霞
Adobe PDF(581Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1449/229  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕 ; 刘志强![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(698Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1229/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(550Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1113/164  |  提交时间:2009/06/11 |