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| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 付英春 Adobe PDF(2634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/53  |  提交时间:2015/06/03 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua) Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/274  |  提交时间:2013/04/18 |
| 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 付英春 Adobe PDF(5214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/29  |  提交时间:2012/06/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3233/1392  |  提交时间:2012/07/17 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1535/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231216.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 熊莹; 韩伟华; 杨富华 Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/192  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 张严波; 赵凯; 杨富华 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1397/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1247/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:910/94  |  提交时间:2014/12/25 |
| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1094Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:874/86  |  提交时间:2014/11/17 |