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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XJ;  Chen SW;  Xu HH;  Sun Y;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Xu XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xjxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(1456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1260/327  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/246  |  提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun CH;  Wang NX;  Zhou SY;  Hu XJ;  Chen P;  Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenlab@mail.ipc.ac.cn;  zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn
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