倒锥波导耦合器的制作方法
尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-01-27 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种倒锥波导耦合器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术,将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件;步骤2:利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料;步骤3:在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜;步骤4:对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶;步骤5:在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入;步骤6:腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜,形成光纤耦合波导,该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器;步骤7:后烘,完成倒锥波导耦合器的制作。
申请日期2008-07-23
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810117073.3
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13406
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
尹小杰,王 玥,吴远大,等. 倒锥波导耦合器的制作方法[P]. 2010-08-12.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3569.pdf(399KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[尹小杰]的文章
[王 玥]的文章
[吴远大]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[尹小杰]的文章
[王 玥]的文章
[吴远大]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[尹小杰]的文章
[王 玥]的文章
[吴远大]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。