Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 倒锥波导耦合器的制作方法 | |
| 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-27 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤:步骤1:在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件;步骤2:利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料;步骤3:在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜;步骤4:对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶;步骤5:在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入;步骤6:腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器;步骤7:后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。 |
| 申请日期 | 2008-07-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810117073.3 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13406 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹小杰,王 玥,吴远大,等. 倒锥波导耦合器的制作方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3569.pdf（399KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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