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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [13]
作者
魏鸿源 [2]
焦春美 [2]
韩勤 [1]
徐波 [1]
刘斌 [1]
文献类型
期刊论文 [7]
专利 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [4]
2007 [5]
2006 [2]
2005 [1]
1997 [1]
语种
中文 [9]
英语 [4]
出处
CHINESE PH... [3]
半导体学报 [2]
OPTICAL MA... [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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作者升序
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在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
胡卫国
;
魏鸿源
;
焦春美
;
刘祥林
Adobe PDF(358Kb)
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浏览/下载:1382/207
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
Adobe PDF(986Kb)
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浏览/下载:1678/189
  |  
提交时间:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马志勇
;
王晓亮
;
冉军学
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)
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浏览/下载:1571/181
  |  
提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)
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浏览/下载:1515/172
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, WG (Hu Wei-Guo)
;
Liu, XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhang, PF (Zhang Pan-Feng)
;
Zhao, FA (Zhao Feng-Ai)
;
Jiao, CM (Jiao Chun-Mei)
;
Wei, HY (Wei Hong-Yuan)
;
Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing)
;
Wu, JJ (Wu Jie-Jun)
;
Cong, GW (Cong Guang-Wei)
;
Pan, Y (Pan Yi)
;
Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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浏览/下载:1484/399
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1228/386
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Hu WG (Hu Wei-Guo)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhau-Guo)
;
Liu, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(516Kb)
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浏览/下载:980/291
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提交时间:2010/03/29
AlN薄膜的生长及其物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
胡卫国
Adobe PDF(3305Kb)
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浏览/下载:1334/45
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
胡卫国
;
魏鸿源
;
焦春美
;
康亭亭
;
张日清
;
刘祥林
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浏览/下载:909/278
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提交时间:2010/11/23
一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张攀峰
;
吴洁君
;
胡卫国
;
刘祥林
Adobe PDF(562Kb)
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浏览/下载:1518/201
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提交时间:2009/06/11