已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国 Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于产生毫米波的集成芯片 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵玲娟; 谢红云; 王路; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1402/219  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/103  |  提交时间:2014/12/25 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:807/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:801/79  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1032/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:993/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:885/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/82  |  提交时间:2014/10/31 |