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| 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛容伟; 滕学公; 李传波; 左玉华; 罗丽萍; 成步文; 于金中; 王启明 Adobe PDF(641Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1500/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1913/367  |  提交时间:2012/09/09 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1737/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明 Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/164  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/110  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:871/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:684/75  |  提交时间:2014/11/17 |
| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:793/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:733/80  |  提交时间:2014/11/05 |