已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1532/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于皮下药物注射的基于柔性基底的微针阵列及其制法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910083494.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 裴为华; 王宇; 郭凯; 归强; 王淑静; 朱琳; 陈弘达 Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1494/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1496/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1451/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波 Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1638/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1121/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1674/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1029/103  |  提交时间:2014/12/25 |