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High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang ZM;  Wang LM;  He GP;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhou XN;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ingaasp  Strained Layer Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  ZHANG SH;  WU H;  WANG HZ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDUCTORSPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  XU HD;  WANG HZ;  XUE SQ;  SHI XQ;  HUANG XM;  YANG CB;  CAO XN;  XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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