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| 半导体光谱新技术研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 罗伟霞 Adobe PDF(7867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/2  |  提交时间:2022/07/15 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yang W (Yang Wei); Luo HH (Luo Hai-Hui); Qian X (Qian Xuan); Ji Y (Ji Yang); Yang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@semi.ac.cn Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:977/315  |  提交时间:2010/05/24 |
| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005 发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/236  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杨威; 姬扬; 罗海辉; 阮学忠; 王玮竹; 赵建华 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1037/336  |  提交时间:2010/11/23 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1676/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1570/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 罗卫军 Adobe PDF(3587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1170/80  |  提交时间:2009/04/13 |
| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 谭平恒; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆 Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1526/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bao ZH (Bao Zhi-Hua); Jing WP (Jing Wei-Ping); Luo XD (Luo Xiang-Dong); Tan PH (Tan Ping-Heng); Bao, ZH, Nantong Univ, Jiangsu Prov Key Lab ASIC Design, Nantong 226007, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoxd00@yahoo.com.cn Adobe PDF(200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:943/233  |  提交时间:2010/03/29 |