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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1570/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅 Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 冯春; 王晓亮; 王新华; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 冉军学; 王军喜 Adobe PDF(615Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/244  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王新华; 王晓亮; 冯春; 冉军学; 肖红领; 杨翠柏; 王保柱; 王军喜 Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1059/298  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| MOCVD GaN基微电子材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 作者: 冉军学 Adobe PDF(2262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1008/55  |  提交时间:2009/04/13 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1076/355  |  提交时间:2010/11/23 |