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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄永箴; 王世江 ; 杨跃德; 肖金龙; 胡永红; 杜云
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| 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 半导体微腔激光器及光放大器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 胡永红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu LJ (Hu Liang-Jun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘戬; 胡永红; 张尚剑; 谢亮; 黄永箴; 祝宁华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄永箴; 胡永红; 于丽娟; 陈沁; 谭满清; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡天斗; 许继宗; 梁基本; 庄蔚华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡天斗; 许继宗; 梁基本; 庄蔚华
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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