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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [5]
作者
杨晓光 [2]
陆丹 [1]
王圩 [1]
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
语种
中文 [5]
出处
Gao Xiao H... [1]
激光技术 [1]
资助项目
收录类别
CSCD [1]
EI [1]
资助机构
国家自然科学基金资助... [1]
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语种:中文
专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lan, Yu-Wei
;
Zhou, Li-Ya
;
Tong, Zhang-Fa
;
Pang, Qi
;
Leng, Li-Min
;
Han, Jian-Peng
;
Wang, Fan
;
Zhou, L.-Y.(zhouliyatf@163.com)
Adobe PDF(689Kb)
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收藏
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浏览/下载:1138/389
  |  
提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王黎
;
孙瑜
;
赵晓凡
;
娄采云
;
陆丹
;
赵玲娟
;
王圩
Adobe PDF(335Kb)
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收藏
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浏览/下载:1411/385
  |  
提交时间:2011/08/16
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(257Kb)
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收藏
  |  
浏览/下载:1417/248
  |  
提交时间:2012/09/09
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张云霄
;
廖栽宜
;
周帆
;
赵玲娟
;
王圩
Adobe PDF(927Kb)
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收藏
  |  
浏览/下载:1385/190
  |  
提交时间:2011/08/31
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(249Kb)
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浏览/下载:1437/267
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提交时间:2011/08/31