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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1935/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1513/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(430Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1773/297  |  提交时间:2011/08/30 |
| 晶圆表面脱液处理装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242752.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 马骁宇; 刘素平; 李全宁; 熊聪; 张海艳; 罗泓; 冯小明 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1634/231  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡理科; 熊聪; 祁琼; 王冠; 马骁宇; 刘素平 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1913/283  |  提交时间:2011/08/30 |
| 光纤放大器种子源模块 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106763.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 朱晶; 熊聪; 李全宁; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1510/235  |  提交时间:2011/08/30 |
| 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910080071.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 熊聪; 王俊; 崇锋; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1600/269  |  提交时间:2011/08/30 |
| 半导体激光器储存盒 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910243746.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 李全宁; 刘素平; 马骁宇; 熊聪; 张海艳; 罗泓; 冯小明 Adobe PDF(482Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1413/246  |  提交时间:2011/08/30 |
| 带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910080070.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 熊聪; 王俊; 崇锋; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1479/256  |  提交时间:2011/08/30 |
| 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102163804A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 祁琼; 熊聪; 王俊; 郑凯; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2071/433  |  提交时间:2012/09/09 |