| 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 |
| 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。 |
| 部门归属 | 光电子器件国家工程中心
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| 专利号 | CN200910084036.1
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910084036.1
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22105
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| 专题 | 光电子器件国家工程中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王俊,白一鸣,崇锋,等. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN200910084036.1.
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