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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1548/270  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张扬; 闫发旺; 高海永; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 李晋闽 Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2895/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/246  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/200  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国 Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1226/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健; 杨志超 Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 朱建军; 杨辉; 梁骏吾 Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/204  |  提交时间:2009/06/11 |