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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
韩培德 [1]
刘剑 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2003 [2]
2000 [3]
1999 [1]
1998 [2]
语种
英语 [8]
出处
PROCEEDING... [2]
BLUE LASER... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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知识图谱
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作者升序
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期刊影响因子降序
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
;
Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Soi
Nanostructure
Microelectronic Materials
Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li Q
;
Fang ZL
;
Xu SJ
;
Li GH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Zhang XH
;
Liu W
;
Chua SJ
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Piezoelectric Field
Photoluminescence
Temperature
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gan
Annealing Treatment
In-doping
Movpe
Photoluminescence
Chemical-vapor-deposition
Phase Epitaxy
Buffer Layer
Films
Sapphire
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Wang XH
;
Song AM
;
Liu J
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Li CF
;
Li YX
;
Yu JZ
;
Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1533/278
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提交时间:2010/10/29
Gaas/algaas
Quantum Dot Array
Etching Method
Photoluminescence
Wires
Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Yue GZ
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Wang CX
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1093/0
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提交时间:2010/10/29
Metastability
Antisite
The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Liu XL
;
Wang LS
;
Lu DC
;
Wang D
;
Wang XH
;
Lin LY
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1528/401
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提交时间:2010/11/15
Movpe
Gan
Gan Buffer
Heavy Si-doping