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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Ji HM
;
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Density-of-states
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen, J, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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提交时间:2010/03/09
Emission
Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovolatic cells by liquid phase epitaxy - art. no. 68411E
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu L
;
Chen NF
;
Gao FB
;
Yin ZG
;
Bai YM
;
Zhang XW
;
Liu, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Thermophotovoltaic Cell
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Inas
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Zhou JT
;
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
THIN SOLID FILMS, Taipei, TAIWAN, NOV 12-14, 2004
作者:
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
;
Feng, ZC, Natl Taiwan Univ, Grad Inst Electroopt Engn, Taipei, Taiwan. 电子邮箱地址: zcfeng@cc.ee.nut.edu.tw
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提交时间:2010/03/29
Time-resolved Photoluminescence
Edge dislocation of b=[001]/2 in the InAs nanostructure on InP(001)
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Wang YL
;
Wu J
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Zeng YP
;
Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Layer-ordering Orientation
Effect of noncoherent islands on the optical properties of the 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots during rapid thermal annealing
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Shi GX
;
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
;
Chen YH
;
Wang YL
;
Cui CX
;
Wang ZG
;
Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
1.3 Mu-m