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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tongbo Wei; S. M. Islam; Uwe Jahn; Jianchang Yan; Kevin Lee; Shyam Bharadwaj; Xiaoli Ji; Junxi Wang; Jinmin Li; Vladimir Protasenko; Huili (Grace) Xing; Debdeep Jena
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Nan Guan; Xing Dai; Agnès Messanvi; Hezhi Zhang; Jianchang Yan; Eric Gautier; Catherine Bougero; François H. Julien; Christophe Durand; Joël Eymery; Maria Tchernycheva
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feneberg, M; Osterburg, S; Romero, MF; Garke, B; Goldhahn, R; Neumann, MD; Esser, N; Yan, JC; Zeng, JP; Wang, JX; Li, JM
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜
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