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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tongbo Wei;   S. M. Islam;   Uwe Jahn;   Jianchang Yan;   Kevin Lee;   Shyam Bharadwaj;   Xiaoli Ji;   Junxi Wang;   Jinmin Li;   Vladimir Protasenko;   Huili (Grace) Xing;   Debdeep Jena
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nan Guan;  Xing Dai;  Agnès Messanvi;  Hezhi Zhang;  Jianchang Yan;  Eric Gautier;  Catherine Bougero;  François H. Julien;  Christophe Durand;  Joël Eymery;  Maria Tchernycheva
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  闫建昌;  郭亚楠;  张韵;  田迎冬;  朱邵歆;  陈翔;  孙莉莉;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feneberg, M;  Osterburg, S;  Romero, MF;  Garke, B;  Goldhahn, R;  Neumann, MD;  Esser, N;  Yan, JC;  Zeng, JP;  Wang, JX;  Li, JM
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1525/280  |  提交时间:2011/08/31
发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜
Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1881/390  |  提交时间:2012/09/09