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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2008
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
专题:中国科学院半导体研究所
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85
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1547/270
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
Adobe PDF(561Kb)
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浏览/下载:2895/218
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提交时间:2009/06/11
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1618/222
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提交时间:2009/06/11
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1242/178
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提交时间:2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1225/186
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提交时间:2009/06/11
低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈宇
;
王良臣
;
伊晓燕
;
李艳
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浏览/下载:1439/257
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提交时间:2009/06/11
自动搅拌滴料桶
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王俊
;
吕卉
;
李伟
;
刘秀英
;
张海艳
;
赖剑雷
;
刘素平
;
马骁宇
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YQ
;
Yang Y
;
Fu SY
;
Yi XY
;
Wang LC
;
Chen HD
;
Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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浏览/下载:1489/605
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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浏览/下载:925/167
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li-Yan, S
;
Tie, L
;
Wen-Zheng, Z
;
Zhi-Ming, H
;
Dong-Lin, L
;
Hong-Ling, G
;
Li-Jie, C
;
Yi-Ping, Z
;
Shao-Ling, G
;
Jun-Hao, C
;
Li-Yan, S, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/08