已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1420/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07 发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/250  |  提交时间:2012/09/07 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1402/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1509/229  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(939Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/194  |  提交时间:2011/08/31 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1554/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1220/79  |  提交时间:2011/08/31 |
| 垂直相变存储器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256816.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1285/245  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/220  |  提交时间:2011/08/31 |