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平面相变存储器的制备方法
张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种平面相变存储器的制备方法,包括:在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层,形成侧墙;去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料;在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层;在金属层上制备一层绝缘材料层;抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面,从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极;最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层,再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极,即形成平面相变存储器。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN201010520209.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010520209.2
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22345
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 平面相变存储器的制备方法. CN201010520209.2.
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