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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1594/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1906/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1632/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1979/288  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1586/280  |  提交时间:2011/08/31 |
| 发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1985/390  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2111/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1616/285  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孙莉莉; 张韵; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:564/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽 Adobe PDF(972Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:887/66  |  提交时间:2014/11/24 |