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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Ji Gang
;
Sun Guosheng
;
Liu Xingfang
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
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提交时间:2010/11/23
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载:1590/230
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)
  |  
收藏
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浏览/下载:1403/186
  |  
提交时间:2009/06/11
一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(765Kb)
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浏览/下载:1342/191
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提交时间:2009/06/11
一种硅基电光材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(475Kb)
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浏览/下载:1233/174
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
Adobe PDF(494Kb)
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浏览/下载:1492/218
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1332/167
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
彭英才
;
Zhao Xinwei
;
马蕾
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提交时间:2010/11/23