大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 | |
李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
Date Available | 2016-09-29 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2015-05-25 |
Application Number | CN201510270779.3 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27644 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李辉杰,杨少延,魏鸿源,等. 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方(710KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment