| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 | |
| 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-29 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-05-25 |
| Application Number | CN201510270779.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27644 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李辉杰,杨少延,魏鸿源,等. 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方（710KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment