| 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 | |
| 孔庆峰; 马平; 纪攀峰; 卢鹏志; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-02 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2014-07-16 |
| Application Number | CN201410337635.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27349 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孔庆峰,马平,纪攀峰,等. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LE（799KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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