| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 | |
| 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2014-12-11 |
| Application Number | CN201410764375.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27256 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孔苏苏,李辉杰,冯玉霞,等. 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法.p（1285KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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