Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 | |
| 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-12-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 申请日期 | 2013-08-30 |
| 申请号 | CN201310388446.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25780 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢军亮,张宇,徐应强,等. InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| InSb_GaSb量子点结构器件及生长方（1368KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [邢军亮]的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [徐应强]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [邢军亮]的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [徐应强]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [邢军亮]的文章 |
| [张宇]的文章 |
| [徐应强]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论