SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法
谢海忠; 纪攀峰; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-23
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-04-16
申请号CN201410153249.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25719
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
谢海忠,纪攀峰,李璟,等. 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法.
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一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法(589KB) 限制开放使用许可请求全文
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