直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-23
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-04-21
申请号CN201410160279.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25707
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杜文娜,杨晓光,王小耶,等. 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳(867KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[杜文娜]的文章
[杨晓光]的文章
[王小耶]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[杜文娜]的文章
[杨晓光]的文章
[王小耶]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[杜文娜]的文章
[杨晓光]的文章
[王小耶]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。