SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
带间级联激光器及其制备方法
邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-02-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-11-08
申请号CN201310553805.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25485
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
邢军亮,张宇,徐应强,等. 带间级联激光器及其制备方法.
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