| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 | |
| 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-03-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-12-05 |
| Application Number | CN201310652125.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25469 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨少延,冯玉霞,魏鸿源,等. 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管（1180KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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