| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 | |
| 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-01-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-08-28 |
| Application Number | CN201210311148.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25204 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘建明,桑玲,赵桂娟,等. 制备非极性A面GaN薄膜的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法(1).p（376KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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