| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 | |
| 王科范; 刘孔; 曲胜春; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-02-20 ; 2013-02-20 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-11-23 |
| Application Number | CN201210484770.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25202 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王科范,刘孔,曲胜春,等. 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法.pdf（259KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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