| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 | |
| 杨晓光; 杨涛 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层；步骤5：在p+型GaAs层上蒸发上金属电极；步骤6：刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状；步骤7：在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层；步骤8：剥离减反层,使上金属电极裸露；步骤9：在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件；步骤10：对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102176490A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110044608.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23487 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨晓光,杨涛. 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法. CN102176490A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 锑辅助生长的砷化铟_砷化镓量子点太阳电池（313KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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