| 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法; 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 | |
| 郑婉华; 彭红玲; 渠宏伟; 马绍栋 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN102110595A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010595707.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23463 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑婉华,彭红玲,渠宏伟,等. 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法, 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法. CN102110595A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属（1058KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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