“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法; “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 | |
迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。 |
metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
Patent Number | CN102157903A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110027237.5 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23460 |
Collection | 纳米光电子实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 迂修,张宇,王国伟,等. “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法, “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法. CN102157903A. |
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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法.(227KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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