| 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池; 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 | |
| 马绍栋; 付非亚; 王宇飞; 王海玲; 彭红玲; 郑婉华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池,包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20),该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术,在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30),该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40),该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50),该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60),该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明,解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题,达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN102163638A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110067715.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23457 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 马绍栋,付非亚,王宇飞,等. 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池, 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池. CN102163638A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池.pdf（488KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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